近日從中國半導體協會主辦、賽迪顧問承辦的“2017中國半導體市場年會暨第六屆中國集成電路產業創新大會”得知，2017年有望成為國產存儲器大規模主流化發展元年。　
       3D NAND Flash、DRAM是智能手機必需的存儲芯片，中國企業一直沒加入這兩個主要市場的競爭行列。從2017中國半導體市場年會中得知，這一狀況有可能會改變。目前國內存儲器芯片主要參與者有三個，分別是福建泉州的晉華存儲、湖北武漢的長江存儲以及紫光集團。其中，長江存儲初期定位發展Flash 產品，后期將擴展DRAM產品，晉華存儲項目定位DRAM產品。紫光集團除直接入股長江存儲外，還將在不同地點布局DRAM、Flash產品。
      賽迪顧問人士透露，在兩年的準備期之后，2017年上述項目將進入實質性項目建設階段。長江存儲是目前進展最快的一方，長江存儲本身在Flash領域已經有較豐富的經驗，有望率先實現量產。晉華項目已經開工建設，項目運營由經驗豐富的臺灣臺積電負責，技術則委托聯電進行開發。紫光集團目前在南京開工新建Flash產線。

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