Everspin MR4A16B 16Mb并行MRAM具有兼容SRAM的35ns讀/寫周期，并擁有出色耐久性。

MR4A16B由1,048,576字 x 16位構(gòu)成。對于這款MRAM來說，數(shù)據(jù)保持期長達(dá)20年以上而不會丟失，并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護(hù)，以防止在非工作電壓期間寫入。
 
MR4A16B采用48引腳球柵陣列 (BGA) 小型封裝和54引腳微小外形封裝 (TSOPII)。
 
這款器件能夠在商業(yè)級（0至+70 °C）、工業(yè)級（-40至+85 °C）與擴(kuò)展級（-40至+105 °C）溫度范圍內(nèi)工作，并在整個溫度范圍內(nèi)保持高度可靠的數(shù)據(jù)存儲能力。
 

本文關(guān)鍵詞：并行MRAM

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