早在20多年前，因為MRAM不易揮發(fā)的特點，MRAM就被業(yè)界視為可替代NAND閃存的潛在高性能產(chǎn)品。但是，從目前產(chǎn)品容量的角度看來，該技術(shù)暫時無法參與市場競爭。

 

MRAM與快閃記憶體不同，它使用了磁性材料與常規(guī)硅電路相結(jié)合記錄方式，在性能上MRAM具有與SRAM相似的高速讀寫能力，以及Flash不揮發(fā)性的特性，在Cell面積上也和DRAM比例相近，而重復(fù)讀寫次數(shù)和SRAM、DRAM相同，操作電壓也近似，可說是集各種記憶體優(yōu)點于一體的產(chǎn)品。它的主要競爭對手是快閃記憶體，目前一些公司如東芝、三星、Intel正在不停開發(fā)更快更高容量的閃存式存儲裝置。

 

MRAM的最大優(yōu)勢在于其性能以及低功耗。在未來，內(nèi)存技術(shù)有望能夠超越閃存甚至是DRAM，達到SRAM的水平。MRAM只要得到與閃存和DRAM一樣多的投資力度以及存在同樣大的市場需求，MRAM也許會成為未來主流內(nèi)存產(chǎn)品。

 

 

大約在十年前，飛思卡爾半導(dǎo)體宣布該公司將與多家創(chuàng)投公司集資成立一間以磁性隨機存取存儲器(MRAM)為主要產(chǎn)品的獨立新公司——EverSpin Technologies，致力于提供并擴充現(xiàn)有的獨立MRAM產(chǎn)品線及相關(guān)磁性產(chǎn)品。

MRAM將磁性材質(zhì)與傳統(tǒng)硅晶線路結(jié)合在單一的永久耐用元件當(dāng)中，不但具有SRAM的速度，也具備快閃存儲器的非揮發(fā)性。MRAM元件的設(shè)計將非揮發(fā)性存儲器及RAM的優(yōu)勢合而為一，讓新型的智慧型電子裝置能擁有“立即開啟”及防備斷電的功能。

本文關(guān)鍵詞：MRAM  ST-MRAM  

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